МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА ШОТТКИ
Author: dm17rj@yandex.ru - Published 2021-10-13 22:03 - (818 Reads)Дмитрий Михайлович Медведев
(Брянский государственный технический университет, доцент каф. ЭРЭиЭС,
доцент, канд. техн. наук, Россия, г. Брянск, dm17rj at yandex.ru)
Алексей Алексеевич Малаханов
(Брянский государственный технический университет, зав. каф. ЭРЭиЭС,
доцент, канд. техн. наук, Россия, г. Брянск, malakhan at yandex.ru)
Представлены результаты моделирования высоковольтного кремниевого диода Шоттки в приборно-технологической САПР Synopsys Sentaurus TCAD.
The results of modeling of the high-voltage silicon Schottky diode in the device-technological design system Synopsys Sentaurus TCAD was presented.
Ключевые слова: диод Шоттки, кремний, моделирование.
Keywords: Schottky diode, silicon, modeling.
Тезисы доклада доступны по ссылке.